#英伟达 与Amkor、IBIDEN、京元电子、三星电机、矽品及欣兴电子六家供应商签署大规模扩产协议，覆盖基板、先进封装、测试及光学引擎，三年内基板产能提升2.5倍、封装增幅逾300%、光学引擎扩产15倍。黄仁勋称正处人类史上最大基建浪潮，产能是瓶颈。供给约束有望于2027至2028年实质缓解。#AIDC

经济信息联播: 台积电20亿美元硅中介层大单交给格罗方德，CoWoS关键组件首次转由美国生产。 根据这份为期五年的长约，格罗方德将在美国纽约州生产CoWoS所需的硅中介层，预计2028年上半年逐步放量，总金额近新台币640亿元。 AI #先进封装 的关键环节首次从中国台湾本地供应商延伸到美国本土，反映硅中介层需求持续扩大。 #TSMC #格芯 台积电 #TSMC 此次选择由格罗方德在纽约州生产硅中介层，是其先进封装扩产与外包策略的延续。此前台积电CoWoS产能已连续三年翻倍，并将CoWoS中的CoW工序外包给日月光等封测厂，以应对AI芯片需求爆发带来的产能压力；如今把硅中介层这一关键环节也纳入委外，进一步将产能触角伸向美国本土。#联电 投入硅中介层多时，正积极扩产，月产能将由3000片倍增至6000片，以因应客户先进封装需求。其技术涵盖硅中介层、深沟槽电容、晶圆级混合键结及主动式中介层，其中导入深沟槽电容的2.5D封装方案已出货予主要客户，主动式中介层也与多家客户进行验证。#力积电 则以"3D AI晶圆代工"为转型重点，将储存制造与成熟制程优势延伸至硅中介层、硅电容及晶圆堆叠，今年已展示中介层、整合型被动元件硅电容与3D WoW DRAM堆叠技术；在产能配置上，规划运用P3厂等既有资源扩大中介层布局。

台积电20亿美元硅中介层大单交给格罗方德，CoWoS关键组件首次转由美国生产。根据这份为期五年的长约，格罗方德将在美国纽约州生产CoWoS所需的硅中介层，预计2028年上半年逐步放量，总金额近新台币640亿元。AI #先进封装 的关键环节首次从中国台湾本地供应商延伸到美国本土，反映硅中介层需求持续扩大。#TSMC #格芯

Digitimes援引供应链人士透露，#台积电 已确定自2027年1月起按制程调整晶圆出片价格，涨幅约为3%至6%，其中先进制程涨幅居前；目前台积电8英寸厂产能利用率超过100%、45纳米以下制程满载，订单能见度已延伸至2030年。此次涨价将直接抬升客户投片成本并沿供应链逐级传导，三星电子、英特尔、联电、世界先进等晶圆代工厂，以及封测厂与IC设计客户的报价均面临跟涨压力。供应链人士指出，台积电2纳米、3纳米产能供不应求，CoWoS等先进封装瓶颈至今未解，客户即便面对涨价也难以迅速切换供应商；AI带动的需求已从GPU、ASIC及高带宽存储器外溢至PMIC、MCU、MOSFET、驱动IC、模拟IC等成熟制程产品。#AIDC #AI泡沫 #AI税 #芯片战争

#美光 宣布完成全球首款512GB DDR5 RDIMM的演示验证，采用 #TSV 硅通孔垂直堆叠封装，使双路服务器内存上限突破12TB，功耗较4条128GB方案降低逾60%。AMD与英特尔已启动验证，预计2027年下半年量产，将助力AI推理与内存数据库等高密度工作负载，是AI服务器硬件路线的又一变量。#HBM #先进封装

9月3日，据报道，#TSMC 台积电高层披露，公司设备需求自去年底至今年7月，在不足八个月内从基准水平攀升至1.9倍，累计增幅约90%。目前，公司在中国台湾地区同步兴建13座晶圆厂，全球其他地区另有五至六座在建，合计约20座，远高于此前同期的四至五座。高级副总裁兼联席首席运营官Cliff Hou指出，AI对算力和能效的持续追求，正在加速先进制程、先进封装以及系统级性能升级。如今产业链不仅要确保产品顺利进入下一制造环节，还要考虑上下游之间的性能匹配、可制造性和良率，这对供应链协同提出了更高要求。欣兴电子董事长简山杰表示，基板供应链正处于关键转折点，ABF材料、TGV相关技术等核心生产工具和材料高度依赖日本中小型供应商。过去18个月，欣兴已与客户及日本供应商举行逾10次深度会议，以协调应对持续加大的供应链压力。#AIDC #芯片战争

SK海力士与英伟达罕见同时加注 #CPO。SK海力士发表论文设定下一代AI互联技术目标，英伟达则宣布全球首款200G/lane CPO交换机量产。CPO旨在破解数据中心功耗与信号损耗难题，但现阶段渗透率仅约0.5%，将与可插拔 #光模块 长期并存，产业链价值正向上游光芯片与 #先进封装 转移。

据报道，台积电已完成1.6nm级A16工艺开发与验证，计划今年第四季度量产。该工艺采用背面供电网络技术“超级电源轨（SPR）”，将电源与信号线路分离，从晶圆背面供电，以减少布线瓶颈、提升能效与性能，同时保持与现有设计的兼容性。A16瞄准AI与高性能计算市场。相较增强版2nm工艺N2P，A16在同等功耗下性能提升8%-10%，同等性能下功耗降低15%-20%，芯片密度提升8%-10%。A16被视为向1.4nm级A14过渡的中间节点，后者目标2028年量产。与此同时，台积电持续加码先进工艺与封装产能。11日，台积电董事会批准了总额约294.425亿美元（约合41万亿韩元）的资本支出，用于先进工艺和封装等领域。#芯片战争 #A16 #TSMC #先进封装

台积电日前表示，其CoWoS先进封装技术在AI芯片领域的应用取得突破，部分产品的生产良率已提升至98%至99%。#先进封装

#英特尔 宣布拟发行150亿美元普通股。公司将此次融资的背景定性为“AI计算领域的境外投资”，并点名AI、专用芯片、先进封装及外部晶圆代工等新兴领域带来的“重大机遇”。#定增