9月3日，据报道，#TSMC 台积电高层披露，公司设备需求自去年底至今年7月，在不足八个月内从基准水平攀升至1.9倍，累计增幅约90%。目前，公司在中国台湾地区同步兴建13座晶圆厂，全球其他地区另有五至六座在建，合计约20座，远高于此前同期的四至五座。高级副总裁兼联席首席运营官Cliff Hou指出，AI对算力和能效的持续追求，正在加速先进制程、先进封装以及系统级性能升级。如今产业链不仅要确保产品顺利进入下一制造环节，还要考虑上下游之间的性能匹配、可制造性和良率，这对供应链协同提出了更高要求。欣兴电子董事长简山杰表示，基板供应链正处于关键转折点，ABF材料、TGV相关技术等核心生产工具和材料高度依赖日本中小型供应商。过去18个月，欣兴已与客户及日本供应商举行逾10次深度会议，以协调应对持续加大的供应链压力。#AIDC #芯片战争

SK海力士与英伟达罕见同时加注 #CPO。SK海力士发表论文设定下一代AI互联技术目标，英伟达则宣布全球首款200G/lane CPO交换机量产。CPO旨在破解数据中心功耗与信号损耗难题，但现阶段渗透率仅约0.5%，将与可插拔 #光模块 长期并存，产业链价值正向上游光芯片与 #先进封装 转移。

据报道，台积电已完成1.6nm级A16工艺开发与验证，计划今年第四季度量产。该工艺采用背面供电网络技术“超级电源轨（SPR）”，将电源与信号线路分离，从晶圆背面供电，以减少布线瓶颈、提升能效与性能，同时保持与现有设计的兼容性。A16瞄准AI与高性能计算市场。相较增强版2nm工艺N2P，A16在同等功耗下性能提升8%-10%，同等性能下功耗降低15%-20%，芯片密度提升8%-10%。A16被视为向1.4nm级A14过渡的中间节点，后者目标2028年量产。与此同时，台积电持续加码先进工艺与封装产能。11日，台积电董事会批准了总额约294.425亿美元（约合41万亿韩元）的资本支出，用于先进工艺和封装等领域。#芯片战争 #A16 #TSMC #先进封装

台积电日前表示，其CoWoS先进封装技术在AI芯片领域的应用取得突破，部分产品的生产良率已提升至98%至99%。#先进封装

#英特尔 宣布拟发行150亿美元普通股。公司将此次融资的背景定性为“AI计算领域的境外投资”，并点名AI、专用芯片、先进封装及外部晶圆代工等新兴领域带来的“重大机遇”。#定增

上证指数收报3828.47点，涨0.40%。深证成指收报13658.44点，涨1.10%。创业板指收报3378.70点，涨1.55%。沪深300收报4600.26点，涨0.67%。科创50收报1678.74点，跌0.87%。中证500收报7524.51点，涨1.09%。中证1000收报7095.19点，涨0.98%。三市超4200股飘红，今日成交2.31万亿。食品、乳业、零售、游戏等板块涨幅居前，光刻机、存储芯片、先进封装、玻璃基板等板块跌幅居前。#A股

在当前数据中心的“共封装光学（#CPO ）”竞赛中，台积电已凭借博通和英伟达的产品进展占据先机。与此同时，三星或许将筹码押注于下一阶段。调研显示，博通基于台积电COUPE（紧凑型通用光子引擎）平台的 102.4Tbps CPO以太网交换机，已向早期客户送样。同时，英伟达的Quantum-X光子交换机已经开始出货，Spectrum-X以太网光子交换机也已进入生产阶段，首批采用者包括CoreWeave、Lambda和甲骨文。这一代产品的共同点在于：光学引擎被部署在交换机ASIC（专用集成电路）的附近。其核心制造基础，是台积电成熟的硅光子技术与SoIC 3D堆叠能力。相比之下，三星公开的“一站式（Turnkey）CPO方案”路线图将目标定在了2029年。若以现有交换机CPO的出货量和客户验证作为衡量标准，三星尚未形成与台积电同频的商业化节奏。#三星 高管近期提出的2.xD #先进封装，计划将 HBM、逻辑芯片与硅光芯片整合在同一封装中，并通过面板级再布线层（RDL）中介层扩展系统封装能力，以应对AI数据中心对海量带宽的吞吐需求。#TSMC 台积电正在推进COUPE与CoWoS封装的整合，通过成熟的外部生态接入HBM。先进封装 成为了将“物理功耗优势”转化为“商业产品优势”的关键环节。这并不意味着CPO会立刻杀死可插拔 #光模块，两者将在不同传输距离和功耗预算下长期共存。

SemiAnalysis透露，谷歌下一代TPU（Humufish）将弃用台积电CoWoS，改用英特尔EMIB-T封装。EMIB-T通过硅通孔实现垂直供电，不仅去除了昂贵的中介层、大幅降低成本并提高硅片利用率，还能更好地支持下一代HBM。然而，EMIB-T作为新技术，其大规模量产的良率仍是英特尔面临的最大考验。#先进封装

#Anthropic 已启动自研AI芯片项目，并与 #三星 电子洽谈采用其2纳米工艺及先进封装技术的潜在制造合作。该项目尚处早期规划阶段，旨在优化算力成本并降低供应链依赖。费城半导体指数收跌5.44%，闪迪收跌14%、美光收跌5.5%、英特尔收跌5.3%、英伟达收跌1.4%。半导体下跌带动纳斯达克100由涨转跌、盘中跌超2%

创业板指跌幅扩大至2%，沪指涨0.24%，深证成指跌0.83%。全市场超4200家个股上涨。CPO、先进封装、MicroLED概念等板块跌幅居前。沪深两市成交额突破3万亿，较上日此时放量近3600亿。