存储模组厂 #宇瞻科技 指出，全球三大DRAM原厂新增产能几乎全面投入HBM、伺服器DDR5及LPDDR5X等AI产品，分配给一般DDR5、DDR4及工控市场的颗粒持续减少。供需失衡或至少持续至2027年上半年。#内存涨价

长鑫科技IPO前夕，高盛紧急召开中国存储专家电话会。前三星18年总监、长鑫前高管揭秘：一季度长鑫DRAM全球份额达8%、收入同比暴涨719%；2030年产能有望翻倍；HBM3量产锁定2026年。高盛认为，中国DRAM扩张不可逆，北方华创、中微等国产设备商将受益。#内存涨价

摩根士丹利研报指出，#苹果 正将提价策略从Mac、iPad等非iPhone产品扩展至核心硬件。分析显示，iPhone需求弹性最低（0.2-0.4），涨价对销量冲击有限。为应对存储器成本大涨（DRAM/NAND预计涨约190%/180%），iPhone 18 Pro系列起售价或上调200美元。

国内最大DRAM厂商 #长鑫科技 IPO发行价确定为8.66元/股，对应总市值约5792亿元，低于市场此前预期的万亿元估值。公司将于7月16日启动网上网下申购，7月20日完成缴款。公司一季度营收508亿元，同比增长719%，募集资金将用于DRAM产能扩建及HBM研发。

市场分析机构DigiTimes最新发布的报告称，受到人工智能需求激增与产能结构性瓶颈的双重推动，高带宽内存（#HBM）的价格到2027年有望翻倍。2026年被视为"HBM超级周期"元年，全球HBM3E/HBM4产能已被英伟达、AMD及云厂商长期锁定，供需缺口高达50%-60%。数据显示，未来HBM市场将以每年42%的速度增长，将从2023年的40亿美元增长到2033年的1300亿美元。到2033年，HBM将占据整个DRAM市场的一半以上。#内存涨价 #芯片战争

根据发行时间安排，初步询价日为2026年7月13日（T-3日）。发行公告将于2026年7月15日（T-1日）刊登。网下申购日和网上申购日均为2026年7月16日（T日），网上申购时间为9:30-11:30及13:00-15:00。网下缴款及网上缴款截止日均为2026年7月20日（T+2日）。公司证券简称为“ #长鑫科技 ”，证券代码/网下申购代码为“688825”，网上申购代码为“787825”。长鑫科技成立于2016年，总部位于安徽合肥，是中国规模最大、技术最先进、布局最全的动态随机存取存储器（DRAM）研发设计制造一体化企业，采用IDM（垂直整合制造）业务模式。公司创始人朱一明曾创立兆易创新，后者也持有长鑫科技部分股权。根据公司此前披露的业绩预告，2026年上半年预计实现营业收入1100亿元至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；归母净利润预计500亿元至570亿元，同比增长2244.03%至2544.19%；扣非归母净利润预计520亿元至580亿元。值得注意的是，长鑫科技董事长朱一明承诺了超长股份锁定，在长鑫科技上市后的第一个十年，不转让所持股份，上市满10年后的第二个十年里，每年最多减持上一年末剩余锁定股份总数的20%。这一超长股份锁定期在A股历史也较为罕见。

美光上调美国投资计划500亿美元至2500亿，目标40% DRAM在美生产。相关项目涵盖纽约州、爱达荷州及弗吉尼亚州的多处建厂计划，整体支出预计延续至2035年。与此同时，美光表示将另行拨出30亿美元用于巩固国内半导体供应链。#MAGA

三星电子初步业绩报告显示，截至6月的第二季度初步营业利润达89.4万亿韩元（约580亿美元），不仅远超分析师平均预期的84.2万亿韩元，更高于2025年全年业绩。据汇丰银行数据，今年4至6月，DRAM平均售价环比涨幅超过40%，NAND价格涨幅则超过50%。花旗研究的数据与此接近，显示同期DRAM和NAND均价分别环比上涨44%和53%。在股价表现上，三星今年以来累计涨幅约165%，但跑输竞争对手SK海力士约260%的涨幅。三星二季度利润暴增19倍创纪录，股价却单日重挫。原因在于市场已提前定价“完美”，上演“买预期卖事实”。高估值下，微小的营收缺口、代工亏损隐忧及对AI资本开支见顶的担忧被放大。#三星 #内存涨价 #财报

根据Counterpoint Research的追踪数据显示，64GB DIMM内存的价格在2025年第三季度到2026年第一季度之间已上涨3.5倍，且涨势尚未见顶——预计到2026年第三季度，累计涨幅将达到5倍。TrendForce的数据更加直观：2026年第一季度DRAM合约价季增幅度高达93%至98%，带动全球DRAM产业整体营收环比增长81%，达到970亿美元。进入第二季度，涨势仍未停歇，合约价预计再涨58%至63%。现货市场的信号更为直观：当前服务器级DDR5 RDIMM的现货单价区间达每GB 27至37美元，仅搭建一个12TB的内存池，纯DRAM硬件采购成本就接近50万美元。先进DRAM制程高度依赖EUV光刻机，单台设备售价高达约2亿美元，一座现代化晶圆厂的投资动辄数百亿美元，即便一切顺利，建设周期也长达数年。产能扩张的速度，远远追不上AI需求增长的脚步。2023年，DRAM约占服务器整机成本的50%；到2026年年中，这一比例已攀升至60%至90%，平均约75%。面对DRAM的昂贵与稀缺，行业玩家开始另辟蹊径——不再单纯堆硬件，而是用技术手段减少对DRAM的依赖。AMD以AI调度冷数据至闪存，Apple将模型常驻NAND，Marvell以硬件压缩扩容，闪迪推HBF新架构。纯 #DRAM 堆砌时代结束，AI推理转向多层内存架构，以分层策略平衡性能与成本。#内存涨价

#三星 HBM4E测试良率破70%迈入稳定期，下一代DRAM工艺剑指11月量产认证，提前锁定英伟达新一代AI芯片红利。#HBM