三星电子在SEMICON Taiwan 2026上披露了新一代高带宽存储器（HBM）及下一代存储架构的详细技术路线图，涵盖HBM5、zHBM及zNAND-O等多项前沿技术，显示出这家韩国存储巨头在AI基础设施存储市场的长期布局意图。

HBM5性能为HBM4E的2倍，HBM5基础芯片制程升至2纳米，预计2028年量产，
在堆叠层数方面，三星正为HBM5准备12层、16层及20层三种DRAM堆叠方案，以满足不同应用场景的容量与性能需求。

#三星 将zHBM定位为有别于传统HBM的全新架构。传统HBM将存储器置于AI加速器（xPU）旁侧，而zHBM则将存储直接堆叠于处理器顶部，通过大幅缩短数据传输路径来实现更高带宽与更优功耗表现。
全新架构zHBM目标性能为HBM4E的8倍，预计2029年后推出。#HBM