• #江波龙 三季度扣非净利预增740%至964%,同时示警存储涨价红利退潮。

    公司预计前三季度归母净利润140亿至149亿元、同比增长1864.55%至1990.84%,营业收入380亿至400亿元,第三季度经营性现金流净额转正、资产负债率降至50%以下。

    但公告明确,DRAM与NAND Flash价格涨幅受高基数影响已明显收窄,存储涨价对盈利的边际贡献显著趋缓。
    #江波龙 三季度扣非净利预增740%至964%,同时示警存储涨价红利退潮。公司预计前三季度归母净利润140亿至149亿元、同比增长1864.55%至1990.84%,营业收入380亿至400亿元,第三季度经营性现金流净额转正、资产负债率降至50%以下。但公告明确,DRAM与NAND Flash价格涨幅受高基数影响已明显收窄,存储涨价对盈利的边际贡献显著趋缓。
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  • #长鑫科技 总裁曹堪宇披露公司在DRAM器件、4F²架构与混合键合方向的探索,宣布预计年底推出新一代DDR5 RDIMM服务器内存;主流DRAM仍用6F²架构,4F²可缩小存储单元面积、提高密度。
    #长鑫科技 总裁曹堪宇披露公司在DRAM器件、4F²架构与混合键合方向的探索,宣布预计年底推出新一代DDR5 RDIMM服务器内存;主流DRAM仍用6F²架构,4F²可缩小存储单元面积、提高密度。
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  • 经济信息联播:
    台积电20亿美元硅中介层大单交给格罗方德,CoWoS关键组件首次转由美国生产。 根据这份为期五年的长约,格罗方德将在美国纽约州生产CoWoS所需的硅中介层,预计2028年上半年逐步放量,总金额近新台币640亿元。 AI #先进封装 的关键环节首次从中国台湾本地供应商延伸到美国本土,反映硅中介层需求持续扩大。 #TSMC #格芯

    台积电 #TSMC 此次选择由格罗方德在纽约州生产硅中介层,是其先进封装扩产与外包策略的延续。此前台积电CoWoS产能已连续三年翻倍,并将CoWoS中的CoW工序外包给日月光等封测厂,以应对AI芯片需求爆发带来的产能压力;如今把硅中介层这一关键环节也纳入委外,进一步将产能触角伸向美国本土。

    #联电 投入硅中介层多时,正积极扩产,月产能将由3000片倍增至6000片,以因应客户先进封装需求。其技术涵盖硅中介层、深沟槽电容、晶圆级混合键结及主动式中介层,其中导入深沟槽电容的2.5D封装方案已出货予主要客户,主动式中介层也与多家客户进行验证。

    #力积电 则以"3D AI晶圆代工"为转型重点,将储存制造与成熟制程优势延伸至硅中介层、硅电容及晶圆堆叠,今年已展示中介层、整合型被动元件硅电容与3D WoW DRAM堆叠技术;在产能配置上,规划运用P3厂等既有资源扩大中介层布局。

    经济信息联播: 台积电20亿美元硅中介层大单交给格罗方德,CoWoS关键组件首次转由美国生产。 根据这份为期五年的长约,格罗方德将在美国纽约州生产CoWoS所需的硅中介层,预计2028年上半年逐步放量,总金额近新台币640亿元。 AI #先进封装 的关键环节首次从中国台湾本地供应商延伸到美国本土,反映硅中介层需求持续扩大。 #TSMC #格芯 台积电 #TSMC 此次选择由格罗方德在纽约州生产硅中介层,是其先进封装扩产与外包策略的延续。此前台积电CoWoS产能已连续三年翻倍,并将CoWoS中的CoW工序外包给日月光等封测厂,以应对AI芯片需求爆发带来的产能压力;如今把硅中介层这一关键环节也纳入委外,进一步将产能触角伸向美国本土。#联电 投入硅中介层多时,正积极扩产,月产能将由3000片倍增至6000片,以因应客户先进封装需求。其技术涵盖硅中介层、深沟槽电容、晶圆级混合键结及主动式中介层,其中导入深沟槽电容的2.5D封装方案已出货予主要客户,主动式中介层也与多家客户进行验证。#力积电 则以"3D AI晶圆代工"为转型重点,将储存制造与成熟制程优势延伸至硅中介层、硅电容及晶圆堆叠,今年已展示中介层、整合型被动元件硅电容与3D WoW DRAM堆叠技术;在产能配置上,规划运用P3厂等既有资源扩大中介层布局。
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  • 2026年9月23日,美国国际贸易委员会(ITC)投票决定对特定动态随机存取存储器(DRAM)设备及其下游产品和组件(III)(Certain Dynamic Random Access Memory (DRAM) Devices, Products Containing the Same, and Components Thereof (III))启动337调查(调查编码:337-TA-1523)。
    #内存涨价
    2026年9月23日,美国国际贸易委员会(ITC)投票决定对特定动态随机存取存储器(DRAM)设备及其下游产品和组件(III)(Certain Dynamic Random Access Memory (DRAM) Devices, Products Containing the Same, and Components Thereof (III))启动337调查(调查编码:337-TA-1523)。#内存涨价
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  • 高盛和摩根士丹利分析师预计,2027年全球AI资本支出将达到1.3万亿至1.5万亿美元,其中超过一半将用于内存建设。若这一趋势延续,HBM、DRAM等存储产品有望持续受益于AI算力扩张。

    模型能力越强,背后的算力需求越高,对存储的需求也越旺。 Astra的发布,正在重新点燃这一交易逻辑。#内存涨价 #AI泡沫
    高盛和摩根士丹利分析师预计,2027年全球AI资本支出将达到1.3万亿至1.5万亿美元,其中超过一半将用于内存建设。若这一趋势延续,HBM、DRAM等存储产品有望持续受益于AI算力扩张。模型能力越强,背后的算力需求越高,对存储的需求也越旺。 Astra的发布,正在重新点燃这一交易逻辑。#内存涨价 #AI泡沫
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  • 三星电子在SEMICON Taiwan 2026上披露了新一代高带宽存储器(HBM)及下一代存储架构的详细技术路线图,涵盖HBM5、zHBM及zNAND-O等多项前沿技术,显示出这家韩国存储巨头在AI基础设施存储市场的长期布局意图。

    HBM5性能为HBM4E的2倍,HBM5基础芯片制程升至2纳米,预计2028年量产,
    在堆叠层数方面,三星正为HBM5准备12层、16层及20层三种DRAM堆叠方案,以满足不同应用场景的容量与性能需求。

    #三星 将zHBM定位为有别于传统HBM的全新架构。传统HBM将存储器置于AI加速器(xPU)旁侧,而zHBM则将存储直接堆叠于处理器顶部,通过大幅缩短数据传输路径来实现更高带宽与更优功耗表现。
    全新架构zHBM目标性能为HBM4E的8倍,预计2029年后推出。#HBM
    三星电子在SEMICON Taiwan 2026上披露了新一代高带宽存储器(HBM)及下一代存储架构的详细技术路线图,涵盖HBM5、zHBM及zNAND-O等多项前沿技术,显示出这家韩国存储巨头在AI基础设施存储市场的长期布局意图。HBM5性能为HBM4E的2倍,HBM5基础芯片制程升至2纳米,预计2028年量产,在堆叠层数方面,三星正为HBM5准备12层、16层及20层三种DRAM堆叠方案,以满足不同应用场景的容量与性能需求。#三星 将zHBM定位为有别于传统HBM的全新架构。传统HBM将存储器置于AI加速器(xPU)旁侧,而zHBM则将存储直接堆叠于处理器顶部,通过大幅缩短数据传输路径来实现更高带宽与更优功耗表现。全新架构zHBM目标性能为HBM4E的8倍,预计2029年后推出。#HBM
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  • TrendForce称2027年存储将占主要云厂资本开支的68%,服务器DRAM价格2026年预计累计涨幅约270%。#内存涨价
    TrendForce称2027年存储将占主要云厂资本开支的68%,服务器DRAM价格2026年预计累计涨幅约270%。#内存涨价
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  • 高盛大幅上调未来三年全球晶圆厂设备(WFE)支出预测,将2026至2028年市场规模预期分别提升至1500亿、2180亿及2810亿美元,上调幅度显著超出此前预期,折射出半导体资本开支周期正加速向上突破。

    四大板块
    代工:台积电扩产带动先进制程设备需求跃升
    DRAM:HBM4迁移与产能扩张推动支出持续攀升
    NAND:近期以升级改造为主,供给偏紧延续至2027年
    逻辑及其他:英特尔复苏与Terafab项目带来超预期增量

    维持对半导体设备板块的整体看多立场,此次预测上调对设备板块投资者具有直接指引意义,更高的资本开支预期意味着设备厂商订单能见度持续改善,行业景气周期有望延续至2028年。
    高盛大幅上调未来三年全球晶圆厂设备(WFE)支出预测,将2026至2028年市场规模预期分别提升至1500亿、2180亿及2810亿美元,上调幅度显著超出此前预期,折射出半导体资本开支周期正加速向上突破。四大板块代工:台积电扩产带动先进制程设备需求跃升DRAM:HBM4迁移与产能扩张推动支出持续攀升NAND:近期以升级改造为主,供给偏紧延续至2027年逻辑及其他:英特尔复苏与Terafab项目带来超预期增量维持对半导体设备板块的整体看多立场,此次预测上调对设备板块投资者具有直接指引意义,更高的资本开支预期意味着设备厂商订单能见度持续改善,行业景气周期有望延续至2028年。
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  • 根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究,2027年存储器需求仍由AI应用主导,DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲,CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加,市场维持供给紧张格局,价格走势偏强。

    NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下,2027年下半年供给将趋向宽松,价格可能面临修正压力。#内存涨价
    根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究,2027年存储器需求仍由AI应用主导,DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲,CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加,市场维持供给紧张格局,价格走势偏强。NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下,2027年下半年供给将趋向宽松,价格可能面临修正压力。#内存涨价
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  • #韩股 指数 KOSPI自6月高点重挫近35%,SK海力士、三星电子跌破关键支撑,3倍做多韩国ETF暴跌超七成。

    作为AI交易最拥挤的市场之一,韩国率先遭资金抛售,今年已触发8次熔断,其跌幅已领先 #SOX 费城半导体指数。当前技术面尚未出清,杠杆资金放大跌势。市场担忧,这或是全球AI资产从高估值重新定价的开端,需警惕调整向其他市场扩散。

    全球芯片股遭遇"黑色星期二"——AI资本支出回报存疑、英伟达逾7500亿美元"循环融资"疑云笼罩信贷市场,叠加中国DRAM龙头长鑫科技上市重燃竞争担忧,三重压力共振引爆从华尔街蔓延至亚太的恐慌抛售。

    韩国金融监管当局拟进一步收紧个股 #杠杆ETF 产品管控。若7月底升至3000万韩元的预托金新规未能有效降温,当局将考虑把个人个股杠杆投资额限制在总金融投资额的20%以内,并增加模拟交易等门槛,同时要求机构分散再平衡时点并规范LP交易,以平抑市场波动。
    #金丝雀
    #韩股 指数 KOSPI自6月高点重挫近35%,SK海力士、三星电子跌破关键支撑,3倍做多韩国ETF暴跌超七成。作为AI交易最拥挤的市场之一,韩国率先遭资金抛售,今年已触发8次熔断,其跌幅已领先 #SOX 费城半导体指数。当前技术面尚未出清,杠杆资金放大跌势。市场担忧,这或是全球AI资产从高估值重新定价的开端,需警惕调整向其他市场扩散。全球芯片股遭遇"黑色星期二"——AI资本支出回报存疑、英伟达逾7500亿美元"循环融资"疑云笼罩信贷市场,叠加中国DRAM龙头长鑫科技上市重燃竞争担忧,三重压力共振引爆从华尔街蔓延至亚太的恐慌抛售。韩国金融监管当局拟进一步收紧个股 #杠杆ETF 产品管控。若7月底升至3000万韩元的预托金新规未能有效降温,当局将考虑把个人个股杠杆投资额限制在总金融投资额的20%以内,并增加模拟交易等门槛,同时要求机构分散再平衡时点并规范LP交易,以平抑市场波动。#金丝雀
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