上证指数收报3828.47点，涨0.40%。深证成指收报13658.44点，涨1.10%。创业板指收报3378.70点，涨1.55%。沪深300收报4600.26点，涨0.67%。科创50收报1678.74点，跌0.87%。中证500收报7524.51点，涨1.09%。中证1000收报7095.19点，涨0.98%。三市超4200股飘红，今日成交2.31万亿。食品、乳业、零售、游戏等板块涨幅居前，光刻机、存储芯片、先进封装、玻璃基板等板块跌幅居前。#A股

根据Counterpoint Research的追踪数据显示，64GB DIMM内存的价格在2025年第三季度到2026年第一季度之间已上涨3.5倍，且涨势尚未见顶——预计到2026年第三季度，累计涨幅将达到5倍。TrendForce的数据更加直观：2026年第一季度DRAM合约价季增幅度高达93%至98%，带动全球DRAM产业整体营收环比增长81%，达到970亿美元。进入第二季度，涨势仍未停歇，合约价预计再涨58%至63%。现货市场的信号更为直观：当前服务器级DDR5 RDIMM的现货单价区间达每GB 27至37美元，仅搭建一个12TB的内存池，纯DRAM硬件采购成本就接近50万美元。先进DRAM制程高度依赖EUV光刻机，单台设备售价高达约2亿美元，一座现代化晶圆厂的投资动辄数百亿美元，即便一切顺利，建设周期也长达数年。产能扩张的速度，远远追不上AI需求增长的脚步。2023年，DRAM约占服务器整机成本的50%；到2026年年中，这一比例已攀升至60%至90%，平均约75%。面对DRAM的昂贵与稀缺，行业玩家开始另辟蹊径——不再单纯堆硬件，而是用技术手段减少对DRAM的依赖。AMD以AI调度冷数据至闪存，Apple将模型常驻NAND，Marvell以硬件压缩扩容，闪迪推HBF新架构。纯 #DRAM 堆砌时代结束，AI推理转向多层内存架构，以分层策略平衡性能与成本。#内存涨价

上证指数收报4027.26点，跌2.26%。深证成指收报15782.22点，跌3.44%。创业板指收报4194.21点，跌4.07%。沪深300收报4868.22点，跌3.03%。科创50收报2032.28点，跌1.65%。中证500收报8703.57点，跌2.62%。中证1000收报8601.41点，跌2.54%。三市约4700股飘绿，不足800只飘红；今日成交3.58万亿。玻璃基板、光刻机、猪肉、工业气体等板块逆势走强，电池、保险、医药医疗、CPO等板块跌幅居前。#A股

韩国交易所原计划6月29日推出的个股周度期权被叫停，但官方表示“尚未作出最终决定”。此前监管已对杠杆ETF表示担忧。SK海力士拟在纳斯达克发行1780万股ADR（对应1.78亿股普通股），募资约294亿美元，创史上最大ADR纪录。资金将用于韩国建厂及购置EUV光刻机，以巩固其57%的HBM市场份额。三星或宣布90万亿韩元股票回购计划，用于支付员工奖金。三星电子大幅调整HBM产能，将月投入量的一半及停产的8层HBM3E产能调配给第六代HBM4，力图凭借全球率先量产出货的先发优势，在英伟达Rubin及自研芯片市场中扭转落后于SK海力士的局面。#韩股 #HBM #涨薪 #芯片战争

AI推理对昂贵DRAM的依赖正在松动。AMD宣布收购内存优化公司MEXT，将AI驱动的闪存优化技术引入数据中心。这标志着AI存储架构正在经历一场结构性迁移，而核心驱动力只有一个数字：闪存成本仅为DRAM的1/55。MEXT开发的AI驱动预测内存技术，旨在让闪存的行为更接近DRAM，在维持性能与效率的同时扩展可用内存容量。AMD表示，此次收购将扩充其AI产品组合，帮助数据中心客户提升性能、降低总拥有成本并加速工作负载部署。值得注意的是，苹果早在2024年就开始推进"LLM in a Flash"端侧方案。这一布局背后，是愈演愈烈的DRAM供给危机。Citrini Research指出，AI存储需求已大到需要多层架构共同承接，闪存并非取代HBM，而是在容量维度承接溢出需求——这场架构重构正在重新定价整条AI存储产业链。HBM对DRAM产能的持续蚕食是这场危机的核心驱动。#HBM 在大厂产能中的占比已从2020年的2%攀升至2026年预估的25%。新增DRAM产能的建设同样面临结构性制约。扩产依赖EUV光刻机印制更精细线宽，每台EUV设备售价高达约2亿美元，一座新晶圆厂的投资动辄数百亿美元，建设周期在顺利情况下也需数年。这一供给刚性，正是本轮短缺具备持续性的根本原因。但闪存的扩容路径也与DRAM存在本质区别。闪存通过垂直堆叠更多单元层来增加容量，依赖现有工厂已有的沉积和刻蚀工艺，无需新的光刻节点，不占用EUV资源。闪存控制器基于成熟的6/7纳米制程生产，远离正在制约先进制程的瓶颈节点。据Citrini Research梳理，最直接的受益层是NAND原厂，高容量NAND、企业级SSD及QLC NAND为最纯粹的方向，包括SanDisk、西部数据、美光及铠侠。#内存涨价 #报告 #NAND #闪迪 #西数 #美光 #铠侠

摩根士丹利指出，受无尘室建设周期漫长、EUV光刻机供应受限等物理瓶颈影响，DRAM和NAND供需失衡局面未来2至3年难以缓解。AI云厂商持续高价抢购 #HBM 和高性能存储，推动存储价格进入上升周期。#内存涨价

#ASML 耗时近十年研发的High-NA EUV光刻机即将投入商用，单台售价超4亿美元，被视为下一代先进制程核心设备。但市场正陷入尴尬：#TSMC 台积电因成本过高选择改造现有EUV实现2nm量产，#三星、#SK海力士 仅小规模试水，仅英特尔率先接盘。与此同时，中国市场空间被持续压缩，ASML面临“技术最强、设备最贵，却缺少足够买家”的商业化压力。#芯片战争

上证指数收报4162.18点，跌0.18%。深证成指收报15569.98点，涨0.00%。创业板指收报3921.79点，涨0.34%。沪深300收报4850.70点，跌0.04%。科创50收报1832.02点，涨3.20%。中证500收报8656.31点，涨0.33%。中证1000收报8808.91点，涨0.00%。三市超3700股飘绿，1600股飘红；今日成交2.98万亿，较昨日小幅放量675亿。半导体、光刻机、存储芯片、氟化工等板块涨幅居前，电力、AI应用、煤炭、脑机接口等板块跌幅居前。#A股

全球科技巨头被曝正向 #SK海力士 提出出资建设专属产线、购买ASML极紫外光刻机等罕见提议，以抢先锁定AI芯片供应。而SK海力士对上述提议持谨慎态度，担忧绑定单一客户会压低芯片售价。#内存涨价

4人泄露台积电 #TSMC 机密 给 #东京电子，在中国台湾被判处2-10年不等刑期。东京电子台湾因商业机密案被罚款1.5亿元新台币（约477万美元）。据台检方起诉，陈力铭原任台积电12厂良率部门工程师，离职后前往台积电供应商——东京威力科市场部门任职，多次运用与前同事吴、戈、陈等人的旧谊，央求3人外泄台积电核心秘密档案，供其拍摄后，用以改进东京电子的光刻机。#芯片战争