AI推理对昂贵DRAM的依赖正在松动。AMD宣布收购内存优化公司MEXT，将AI驱动的闪存优化技术引入数据中心。这标志着AI存储架构正在经历一场结构性迁移，而核心驱动力只有一个数字：闪存成本仅为DRAM的1/55。MEXT开发的AI驱动预测内存技术，旨在让闪存的行为更接近DRAM，在维持性能与效率的同时扩展可用内存容量。AMD表示，此次收购将扩充其AI产品组合，帮助数据中心客户提升性能、降低总拥有成本并加速工作负载部署。值得注意的是，苹果早在2024年就开始推进"LLM in a Flash"端侧方案。这一布局背后，是愈演愈烈的DRAM供给危机。Citrini Research指出，AI存储需求已大到需要多层架构共同承接，闪存并非取代HBM，而是在容量维度承接溢出需求——这场架构重构正在重新定价整条AI存储产业链。HBM对DRAM产能的持续蚕食是这场危机的核心驱动。#HBM 在大厂产能中的占比已从2020年的2%攀升至2026年预估的25%。新增DRAM产能的建设同样面临结构性制约。扩产依赖EUV光刻机印制更精细线宽，每台EUV设备售价高达约2亿美元，一座新晶圆厂的投资动辄数百亿美元，建设周期在顺利情况下也需数年。这一供给刚性，正是本轮短缺具备持续性的根本原因。但闪存的扩容路径也与DRAM存在本质区别。闪存通过垂直堆叠更多单元层来增加容量，依赖现有工厂已有的沉积和刻蚀工艺，无需新的光刻节点，不占用EUV资源。闪存控制器基于成熟的6/7纳米制程生产，远离正在制约先进制程的瓶颈节点。据Citrini Research梳理，最直接的受益层是NAND原厂，高容量NAND、企业级SSD及QLC NAND为最纯粹的方向，包括SanDisk、西部数据、美光及铠侠。#内存涨价 #报告 #NAND #闪迪 #西数 #美光 #铠侠