• 经济信息联播:
    西部数据第四财季营收37.47亿美元,同比增长44%,高于预期的36.8亿美元; 净利润暴增逾12倍,调整后EPS达3.56美元,超过预期的3.31美元。 预计2027财年第一季度营收40-42亿美元,中值41亿美元,同样高于预期的40.6亿美元。 但在公司连续多个季度超预期,股价大幅上涨的背景下,市场显然期待更大幅的“超预期”。 #西数 股价盘后大跌10%。此前该股今年累计上涨近2倍。 从全年表现来看,西部数据2026财年实现明显反弹。 公司全年营收达到129.19亿美元,同比增长36%。 毛利率…

    CEO在电话会表示 ,客户对将 #LTA 扩展到2031年的需求非常强劲,不仅未来EB级的需求,还为公司提供了定价杠杆。

    经济信息联播: 西部数据第四财季营收37.47亿美元,同比增长44%,高于预期的36.8亿美元; 净利润暴增逾12倍,调整后EPS达3.56美元,超过预期的3.31美元。 预计2027财年第一季度营收40-42亿美元,中值41亿美元,同样高于预期的40.6亿美元。 但在公司连续多个季度超预期,股价大幅上涨的背景下,市场显然期待更大幅的“超预期”。 #西数 股价盘后大跌10%。此前该股今年累计上涨近2倍。 从全年表现来看,西部数据2026财年实现明显反弹。 公司全年营收达到129.19亿美元,同比增长36%。 毛利率… CEO在电话会表示 ,客户对将 #LTA 扩展到2031年的需求非常强劲,不仅未来EB级的需求,还为公司提供了定价杠杆。
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  • 西部数据第四财季营收37.47亿美元,同比增长44%,高于预期的36.8亿美元;
    净利润暴增逾12倍,调整后EPS达3.56美元,超过预期的3.31美元。

    预计2027财年第一季度营收40-42亿美元,中值41亿美元,同样高于预期的40.6亿美元。

    但在公司连续多个季度超预期,股价大幅上涨的背景下,市场显然期待更大幅的“超预期”。
    #西数 股价盘后大跌10%。此前该股今年累计上涨近2倍。

    从全年表现来看,西部数据2026财年实现明显反弹。
    公司全年营收达到129.19亿美元,同比增长36%。
    毛利率由上一财年的38.8%提升至48.9%;
    经营利润达到44.53亿美元,同比增长91%。
    调整后经营利润达到48.17亿美元,同比增长107%。

    全年归属于普通股股东的GAAP净利润达到92.98亿美元,同比增长481%;
    调整后净利润达到38.83亿美元,同比增长120%。
    西部数据第四财季营收37.47亿美元,同比增长44%,高于预期的36.8亿美元;净利润暴增逾12倍,调整后EPS达3.56美元,超过预期的3.31美元。预计2027财年第一季度营收40-42亿美元,中值41亿美元,同样高于预期的40.6亿美元。但在公司连续多个季度超预期,股价大幅上涨的背景下,市场显然期待更大幅的“超预期”。#西数 股价盘后大跌10%。此前该股今年累计上涨近2倍。从全年表现来看,西部数据2026财年实现明显反弹。公司全年营收达到129.19亿美元,同比增长36%。毛利率由上一财年的38.8%提升至48.9%;经营利润达到44.53亿美元,同比增长91%。调整后经营利润达到48.17亿美元,同比增长107%。全年归属于普通股股东的GAAP净利润达到92.98亿美元,同比增长481%;调整后净利润达到38.83亿美元,同比增长120%。
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  • AI推理对昂贵DRAM的依赖正在松动。AMD宣布收购内存优化公司MEXT,将AI驱动的闪存优化技术引入数据中心。这标志着AI存储架构正在经历一场结构性迁移,而核心驱动力只有一个数字:闪存成本仅为DRAM的1/55。

    MEXT开发的AI驱动预测内存技术,旨在让闪存的行为更接近DRAM,在维持性能与效率的同时扩展可用内存容量。
    AMD表示,此次收购将扩充其AI产品组合,帮助数据中心客户提升性能、降低总拥有成本并加速工作负载部署。

    值得注意的是,苹果早在2024年就开始推进"LLM in a Flash"端侧方案。这一布局背后,是愈演愈烈的DRAM供给危机。Citrini Research指出,AI存储需求已大到需要多层架构共同承接,闪存并非取代HBM,而是在容量维度承接溢出需求——这场架构重构正在重新定价整条AI存储产业链。

    HBM对DRAM产能的持续蚕食是这场危机的核心驱动。#HBM 在大厂产能中的占比已从2020年的2%攀升至2026年预估的25%。
    新增DRAM产能的建设同样面临结构性制约。扩产依赖EUV光刻机印制更精细线宽,每台EUV设备售价高达约2亿美元,一座新晶圆厂的投资动辄数百亿美元,建设周期在顺利情况下也需数年。这一供给刚性,正是本轮短缺具备持续性的根本原因。

    但闪存的扩容路径也与DRAM存在本质区别。闪存通过垂直堆叠更多单元层来增加容量,依赖现有工厂已有的沉积和刻蚀工艺,无需新的光刻节点,不占用EUV资源。闪存控制器基于成熟的6/7纳米制程生产,远离正在制约先进制程的瓶颈节点。

    据Citrini Research梳理,最直接的受益层是NAND原厂,高容量NAND、企业级SSD及QLC NAND为最纯粹的方向,包括SanDisk、西部数据、美光及铠侠。
    #内存涨价 #报告 #NAND #闪迪 #西数 #美光 #铠侠
    AI推理对昂贵DRAM的依赖正在松动。AMD宣布收购内存优化公司MEXT,将AI驱动的闪存优化技术引入数据中心。这标志着AI存储架构正在经历一场结构性迁移,而核心驱动力只有一个数字:闪存成本仅为DRAM的1/55。MEXT开发的AI驱动预测内存技术,旨在让闪存的行为更接近DRAM,在维持性能与效率的同时扩展可用内存容量。AMD表示,此次收购将扩充其AI产品组合,帮助数据中心客户提升性能、降低总拥有成本并加速工作负载部署。值得注意的是,苹果早在2024年就开始推进"LLM in a Flash"端侧方案。这一布局背后,是愈演愈烈的DRAM供给危机。Citrini Research指出,AI存储需求已大到需要多层架构共同承接,闪存并非取代HBM,而是在容量维度承接溢出需求——这场架构重构正在重新定价整条AI存储产业链。HBM对DRAM产能的持续蚕食是这场危机的核心驱动。#HBM 在大厂产能中的占比已从2020年的2%攀升至2026年预估的25%。新增DRAM产能的建设同样面临结构性制约。扩产依赖EUV光刻机印制更精细线宽,每台EUV设备售价高达约2亿美元,一座新晶圆厂的投资动辄数百亿美元,建设周期在顺利情况下也需数年。这一供给刚性,正是本轮短缺具备持续性的根本原因。但闪存的扩容路径也与DRAM存在本质区别。闪存通过垂直堆叠更多单元层来增加容量,依赖现有工厂已有的沉积和刻蚀工艺,无需新的光刻节点,不占用EUV资源。闪存控制器基于成熟的6/7纳米制程生产,远离正在制约先进制程的瓶颈节点。据Citrini Research梳理,最直接的受益层是NAND原厂,高容量NAND、企业级SSD及QLC NAND为最纯粹的方向,包括SanDisk、西部数据、美光及铠侠。#内存涨价 #报告 #NAND #闪迪 #西数 #美光 #铠侠
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