#DeepSeek 正式发布V4.1 Flash模型，#新模型 采用全新的非对称Transformer架构，为552B参数的混合专家模型，输入、输出激活分别约8B和16B。通过大幅压缩KV Cache，新一代模型对HBM的需求降至上一代的四分之一、对SSD的需求降至八分之一，在Agent场景中可显著降低缓存成本。

高盛和摩根士丹利分析师预计，2027年全球AI资本支出将达到1.3万亿至1.5万亿美元，其中超过一半将用于内存建设。若这一趋势延续，HBM、DRAM等存储产品有望持续受益于AI算力扩张。模型能力越强，背后的算力需求越高，对存储的需求也越旺。 Astra的发布，正在重新点燃这一交易逻辑。#内存涨价 #AI泡沫

郭明錤最新产业调查显示，英伟达已重新启动AI推理预填充加速GPU项目“Rubin CPX”，并对产品设计进行大幅调整。按照目前规划，新版Rubin CPX预计于2027年第一季度开始生产。此次项目重启释放出一个明确信号：英伟达正在加码解决AI推理阶段的预填充性能与成本瓶颈。随着大模型上下文长度持续增加，预填充阶段需要处理大量输入信息并生成KV Cache，其效率直接影响AI推理的整体成本和部署经济性。郭明錤称，目前超过50%的AI推理工作负载来自输入上下文处理及KV Cache构建。在算力和功耗方面，新版CPX的性能已接近标准Rubin GPU，单卡最高功耗同样达到2300瓦。内存方面，新版CPX改用168GB HBM4显存，较此前方案的128GB GDDR7明显升级，但仍低于标准Rubin GPU的288GB HBM4。按照郭明錤的说法，8卡CPX计算托盘的HBM4容量合计约1.34TB，能够覆盖大多数长上下文预填充工作负载及对应的KV Cache需求。这意味着，Rubin CPX并非单纯追求更高的通用算力，而是针对长上下文场景对显存容量和预填充效率进行了重新设计。此前方案中，CPX计划与Rubin GPU共享机架；新版则改为采用独立的MGX ETL机架，从而允许客户根据实际需求单独扩展CPX算力。#英伟达 此次重启CPX项目，或正是试图通过专用硬件和异构部署方式，进一步降低长上下文推理的成本。

三星电子在SEMICON Taiwan 2026上披露了新一代高带宽存储器（HBM）及下一代存储架构的详细技术路线图，涵盖HBM5、zHBM及zNAND-O等多项前沿技术，显示出这家韩国存储巨头在AI基础设施存储市场的长期布局意图。HBM5性能为HBM4E的2倍，HBM5基础芯片制程升至2纳米，预计2028年量产，在堆叠层数方面，三星正为HBM5准备12层、16层及20层三种DRAM堆叠方案，以满足不同应用场景的容量与性能需求。#三星 将zHBM定位为有别于传统HBM的全新架构。传统HBM将存储器置于AI加速器（xPU）旁侧，而zHBM则将存储直接堆叠于处理器顶部，通过大幅缩短数据传输路径来实现更高带宽与更优功耗表现。全新架构zHBM目标性能为HBM4E的8倍，预计2029年后推出。#HBM

高盛大幅上调未来三年全球晶圆厂设备（WFE）支出预测，将2026至2028年市场规模预期分别提升至1500亿、2180亿及2810亿美元，上调幅度显著超出此前预期，折射出半导体资本开支周期正加速向上突破。四大板块代工：台积电扩产带动先进制程设备需求跃升DRAM：HBM4迁移与产能扩张推动支出持续攀升NAND：近期以升级改造为主，供给偏紧延续至2027年逻辑及其他：英特尔复苏与Terafab项目带来超预期增量维持对半导体设备板块的整体看多立场，此次预测上调对设备板块投资者具有直接指引意义，更高的资本开支预期意味着设备厂商订单能见度持续改善，行业景气周期有望延续至2028年。

花旗认为，电力、许可、劳动力、HBM和互联等供给约束，会把 #AIDC 原本3年的产能扩张拉长至5-10年。

上周五，周五美股存储与光通信板块走势显著分化。"空存储、多光"（short memory, long optical）交易策略在周末引发激烈争论。率先抛出这一框架的，是市场公认的存储多头——Jukan。他在X平台称部分对冲基金已开始据此建仓。随即，知名投资者"白毛股神"Serenity针锋相对，认为存储基本面未变，市场不过是在"瓶颈与瓶颈之间轮动"。知名存储多头Jukan转向短期审慎，并给出三个理由：一是韩国杠杆ETF市场功能性失效后，相关投资者面临赎回压力，可能为存储股带来额外抛压；二是英伟达正调整下一代AI系统架构，Rubin Ultra可能减少每机架HBM配置，转而使用光互联连接多个机架；三是市场对存储价格未来两个季度见顶的预期正在强化。#内存涨价 #站在光里

#三星 电子在FMS年度存储行业峰会上，正式宣布了zHBM和zNAND-O两款概念产品，以及业界首款采用晶圆键合技术、堆叠层数超过400层的V10 BV-NAND。其中，zHBM将高带宽内存直接垂直堆叠于AI加速器芯片之上，性能预计约为下一代HBM5的8倍。前一日，#SK海力士 携手 #闪迪 在大会上，联合发布高带宽闪存（HBF）全球首个标准规范。HBF技术定位于高带宽内存（#HBM）与固态硬盘（SSD）之间的新型存储层级，旨在同时解决AI推理场景下的带宽瓶颈与容量扩展难题。

#三星 电子2026年Q2创史上最强单季：营收171.5万亿韩元同比暴增130%，营业利润89.49万亿韩元同比飙升1814%，利润率高达52.2%。分部门看，DX（器件体验）部门——涵盖手机、电视、家电——营业利润转负至-0.8万亿韩元，零部件成本上涨侵蚀了消费端业务的利润空间。#消费电子DS（器件解决方案）,即半导体部门单季营业利润就达89.2万亿韩元，占全公司总营业利润的99%以上。电话会：存储供应短缺料将持续至2028年。为此，三星正与全球十大科技巨头签订含大额预付款的5年期滚动长单（LTAs），计划锁定公司60%-70%的总产能，以确立业绩的高能见度。此外，下半年HBM4收入占比将超60%，2纳米代工订单预期翻番。

根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2027年存储器需求仍由AI应用主导，DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲，CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加，市场维持供给紧张格局，价格走势偏强。NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下，2027年下半年供给将趋向宽松，价格可能面临修正压力。#内存涨价