#三星 电子在FMS年度存储行业峰会上，正式宣布了zHBM和zNAND-O两款概念产品，以及业界首款采用晶圆键合技术、堆叠层数超过400层的V10 BV-NAND。其中，zHBM将高带宽内存直接垂直堆叠于AI加速器芯片之上，性能预计约为下一代HBM5的8倍。前一日，#SK海力士 携手 #闪迪 在大会上，联合发布高带宽闪存（HBF）全球首个标准规范。HBF技术定位于高带宽内存（#HBM）与固态硬盘（SSD）之间的新型存储层级，旨在同时解决AI推理场景下的带宽瓶颈与容量扩展难题。