全球第二大NAND存储公司 #铠侠 的股价自上月高点已经 “打五折”。

#佰维存储 预计2026年上半年营收150-160亿元，同比增长约三倍；净利润70-75亿元，同比大幅扭亏。上一轮存储周期见底是2023年，当时NAND闪存价格一度跌破主要厂商的现金成本，全行业弥漫着恐慌。从2024年下半年开始价格反弹，到2025年进入量价齐升阶段。佰维的利润轨迹就是这条周期弧线的实录，底部亏损，恢复盈利，再到指数级放量。#内存涨价

摩根士丹利研报指出，#苹果 正将提价策略从Mac、iPad等非iPhone产品扩展至核心硬件。分析显示，iPhone需求弹性最低（0.2-0.4），涨价对销量冲击有限。为应对存储器成本大涨（DRAM/NAND预计涨约190%/180%），iPhone 18 Pro系列起售价或上调200美元。

三星电子初步业绩报告显示，截至6月的第二季度初步营业利润达89.4万亿韩元（约580亿美元），不仅远超分析师平均预期的84.2万亿韩元，更高于2025年全年业绩。据汇丰银行数据，今年4至6月，DRAM平均售价环比涨幅超过40%，NAND价格涨幅则超过50%。花旗研究的数据与此接近，显示同期DRAM和NAND均价分别环比上涨44%和53%。在股价表现上，三星今年以来累计涨幅约165%，但跑输竞争对手SK海力士约260%的涨幅。三星二季度利润暴增19倍创纪录，股价却单日重挫。原因在于市场已提前定价“完美”，上演“买预期卖事实”。高估值下，微小的营收缺口、代工亏损隐忧及对AI资本开支见顶的担忧被放大。#三星 #内存涨价 #财报

根据Counterpoint Research的追踪数据显示，64GB DIMM内存的价格在2025年第三季度到2026年第一季度之间已上涨3.5倍，且涨势尚未见顶——预计到2026年第三季度，累计涨幅将达到5倍。TrendForce的数据更加直观：2026年第一季度DRAM合约价季增幅度高达93%至98%，带动全球DRAM产业整体营收环比增长81%，达到970亿美元。进入第二季度，涨势仍未停歇，合约价预计再涨58%至63%。现货市场的信号更为直观：当前服务器级DDR5 RDIMM的现货单价区间达每GB 27至37美元，仅搭建一个12TB的内存池，纯DRAM硬件采购成本就接近50万美元。先进DRAM制程高度依赖EUV光刻机，单台设备售价高达约2亿美元，一座现代化晶圆厂的投资动辄数百亿美元，即便一切顺利，建设周期也长达数年。产能扩张的速度，远远追不上AI需求增长的脚步。2023年，DRAM约占服务器整机成本的50%；到2026年年中，这一比例已攀升至60%至90%，平均约75%。面对DRAM的昂贵与稀缺，行业玩家开始另辟蹊径——不再单纯堆硬件，而是用技术手段减少对DRAM的依赖。AMD以AI调度冷数据至闪存，Apple将模型常驻NAND，Marvell以硬件压缩扩容，闪迪推HBF新架构。纯 #DRAM 堆砌时代结束，AI推理转向多层内存架构，以分层策略平衡性能与成本。#内存涨价

伯恩斯坦预计 #HBM 价格明年或上涨2至2.5倍，叠加DRAM、NAND涨价，云厂商AI基础设施成本或增加约30%。三星、SK海力士、美光盈利预期大幅上修，存储周期迎来重估，而纯NAND厂商难享红利。以英伟达Vera Rubin（VR200）机架为例进行测算：在HBM涨价前，#HBM 约占VR200售价的5%。若HBM价格上涨2至2.5倍，仅此一项便需推高VR200售价约6%。但若英伟达为维持75%毛利率而将HBM成本涨幅放大4倍转嫁，则机架售价可能上涨约24%。

伯恩斯坦预计 #HBM 价格明年或上涨2至2.5倍，叠加DRAM、NAND涨价，云厂商AI基础设施成本或增加约30%。三星、SK海力士、美光盈利预期大幅上修，存储周期迎来重估，而纯NAND厂商难享红利。

铠侠市值短暂突破50万亿日元、登顶日本第一，但其未来三年年均资本开支约4700亿日元，仍比2023财年历史峰值低约10%。NAND合约价格2026年Q2预计环比涨幅达70%至75%，供应短缺或延续至2027年底。闪迪最近推出的PS5官方授权8TB固态硬盘售价高达3699.99美元，折后仍接近3000美元，足以购买三台PS5 Pro主机。相比去年同容量产品约640美元的市场价格，涨幅超过360%，凸显内存供应紧张背景下存储市场的价格失衡与短缺溢价。目前，#希捷 科技和 #西部数据 近线硬盘的平均价格约为每TB 14.30-14.90美元(TB) 。摩根士丹利的研究预测，硬盘驱动器 (#HDD ) 将出现“更加严重的短缺”，这种情况至少会持续到 2028 年，供应商的定价将远高于目前的水平。新进入者的威胁有多大？硬盘驱动器行业目前是一个高度集中的寡头垄断市场。外界最常问的问题是，是否有新参与者能够进入并打破这种市场格局。西部数据首席执行官 Irving Tan 给出了直接的答案。他解释说，成为具有竞争力的新进入者的障碍不在于资金是否充足，而在于以下三个关键领域：-技术认证周期极其漫长。仅热辅助磁记录（HAMR）技术的认证就耗时超过10年。这-需要跨学科的垂直整合能力。仅仅靠花钱是无法实现磁学、材料科学、光子学和纳米制造等领域的内部整合。-供应链高度集中，几乎没有闲置产能。硬盘供应链高度整合，目前产能利用率很高，这使得新进入者难以获得可以利用的外部资源。#存储 #内存涨价 #报告

AI推理对昂贵DRAM的依赖正在松动。AMD宣布收购内存优化公司MEXT，将AI驱动的闪存优化技术引入数据中心。这标志着AI存储架构正在经历一场结构性迁移，而核心驱动力只有一个数字：闪存成本仅为DRAM的1/55。MEXT开发的AI驱动预测内存技术，旨在让闪存的行为更接近DRAM，在维持性能与效率的同时扩展可用内存容量。AMD表示，此次收购将扩充其AI产品组合，帮助数据中心客户提升性能、降低总拥有成本并加速工作负载部署。值得注意的是，苹果早在2024年就开始推进"LLM in a Flash"端侧方案。这一布局背后，是愈演愈烈的DRAM供给危机。Citrini Research指出，AI存储需求已大到需要多层架构共同承接，闪存并非取代HBM，而是在容量维度承接溢出需求——这场架构重构正在重新定价整条AI存储产业链。HBM对DRAM产能的持续蚕食是这场危机的核心驱动。#HBM 在大厂产能中的占比已从2020年的2%攀升至2026年预估的25%。新增DRAM产能的建设同样面临结构性制约。扩产依赖EUV光刻机印制更精细线宽，每台EUV设备售价高达约2亿美元，一座新晶圆厂的投资动辄数百亿美元，建设周期在顺利情况下也需数年。这一供给刚性，正是本轮短缺具备持续性的根本原因。但闪存的扩容路径也与DRAM存在本质区别。闪存通过垂直堆叠更多单元层来增加容量，依赖现有工厂已有的沉积和刻蚀工艺，无需新的光刻节点，不占用EUV资源。闪存控制器基于成熟的6/7纳米制程生产，远离正在制约先进制程的瓶颈节点。据Citrini Research梳理，最直接的受益层是NAND原厂，高容量NAND、企业级SSD及QLC NAND为最纯粹的方向，包括SanDisk、西部数据、美光及铠侠。#内存涨价 #报告 #NAND #闪迪 #西数 #美光 #铠侠

SK海力士已完成375层3D #NAND 闪存的生产验证工作，目前正推进产线落地。按照SK海力士的技术路线，未来还将持续迭代，依次推出480层、604层产品。此次技术迭代的核心突破在于使用‌钼（Mo）材料替代传统钨（W）材料‌制作字线（Word Line），旨在解决高层数堆叠带来的电阻上升和空间占用问题，从而提升NAND的性能与存储密度。随着3D NAND堆叠层数愈多，传统钨材质短板凸显。相较而言，在同等微缩尺寸下，钼的电阻更低，能够有效加快数据读写速度。且钼无需额外增设阻挡层，可直接完成填充，进一步提升芯片存储密度。我国科研团队已用二硫化钼这种二维材料打造芯片，让数据在存储地直接完成搜索，36皮秒完成闪电匹配，能耗仅为传统芯片的万分之一。从行业层面来看，三星电子已率先落地钼材料工艺。行业测算数据显示，三星去年钼材料采购量约4吨，今年预计增至10吨，后续需求还将逐年走高，预计2030年将达到80吨。SK海力士从明年开始大规模导入钼工艺，初期年采购量也将达到4吨左右。#钼