#SK海力士 宣布放弃旗下子公司Solidigm赴美上市计划，这一原本被视为潜在"美国最大芯片IPO"的交易就此终止。Solidigm的诞生源于SK海力士对英特尔NAND闪存及固态硬盘业务的收购。SK海力士于2021年完成相关业务整合，Solidigm目前重点布局面向人工智能数据中心的企业级固态硬盘（eSSD）市场。这一决定的直接导火索，是来自韩国监管机构和现有股东的双重压力。韩国金融监督院院长李灿镇本月早些时候向议员表示，金融监督院与金融委员会均认定Solidigm上市受"重复上市"限制规则约束；金融委员会主席李亿远随后也表示，SK海力士及其上层母公司有义务保护股东权益。所谓"重复上市"，是指一家已上市公司的子公司再度独立上市，由此引发母公司股东利益受损的争议。此次事件也被视为首尔方面强化公司治理、保护少数股东权益努力的一次重要检验——韩国股市长期存在所谓" #韩国折价 "（Korea discount）问题，即本土上市公司估值系统性低于全球同类企业。与此同时，SK海力士股价自6月高点已累计下跌58%，股东对独立上市可能稀释持股价值的担忧持续发酵。

#江波龙 三季度扣非净利预增740%至964%，同时示警存储涨价红利退潮。公司预计前三季度归母净利润140亿至149亿元、同比增长1864.55%至1990.84%，营业收入380亿至400亿元，第三季度经营性现金流净额转正、资产负债率降至50%以下。但公告明确，DRAM与NAND Flash价格涨幅受高基数影响已明显收窄，存储涨价对盈利的边际贡献显著趋缓。

#SK海力士 分拆 #NAND 闪存子公司Solidigm赴美IPO：高盛、大摩牵头承销，百亿美元募资聚焦AI存储。

#苹果 与 #铠侠 协商3至5年 #NAND 闪存长约、且可能不设价格上限，标志着其采购逻辑从"压价+多源"转向"锁量+长约"，源于AI数据中心客户对存储产能的激烈竞争，存储芯片定价权正从买方向卖方转移、本轮存储周期持续时间或超出市场预期。#LTA

三星电子在SEMICON Taiwan 2026上披露了新一代高带宽存储器（HBM）及下一代存储架构的详细技术路线图，涵盖HBM5、zHBM及zNAND-O等多项前沿技术，显示出这家韩国存储巨头在AI基础设施存储市场的长期布局意图。HBM5性能为HBM4E的2倍，HBM5基础芯片制程升至2纳米，预计2028年量产，在堆叠层数方面，三星正为HBM5准备12层、16层及20层三种DRAM堆叠方案，以满足不同应用场景的容量与性能需求。#三星 将zHBM定位为有别于传统HBM的全新架构。传统HBM将存储器置于AI加速器（xPU）旁侧，而zHBM则将存储直接堆叠于处理器顶部，通过大幅缩短数据传输路径来实现更高带宽与更优功耗表现。全新架构zHBM目标性能为HBM4E的8倍，预计2029年后推出。#HBM

高盛大幅上调未来三年全球晶圆厂设备（WFE）支出预测，将2026至2028年市场规模预期分别提升至1500亿、2180亿及2810亿美元，上调幅度显著超出此前预期，折射出半导体资本开支周期正加速向上突破。四大板块代工：台积电扩产带动先进制程设备需求跃升DRAM：HBM4迁移与产能扩张推动支出持续攀升NAND：近期以升级改造为主，供给偏紧延续至2027年逻辑及其他：英特尔复苏与Terafab项目带来超预期增量维持对半导体设备板块的整体看多立场，此次预测上调对设备板块投资者具有直接指引意义，更高的资本开支预期意味着设备厂商订单能见度持续改善，行业景气周期有望延续至2028年。

8月12日，市场研究机构Counterpoint发布数据称，2026年第二季度#NAND 闪存市场以出货量计算，三星、SK海力士、#长江存储 的份额分别为25%、22%、14%，这是长江存储份额首次进入前三。不过，按营收计算，长江存储排名行业第五，落后于美光和铠侠，原因是产品组合集中在消费级应用，高单价数据中心企业级固态硬盘占比相对较低。

#SK海力士 旗下Solidigm已重启停滞4年的中国大连第二工厂建设，预计最早今年11月进设备、2027年上半年量产。扩产后大连厂月产能将增加约5万片晶圆（总产能提升50%），主攻基于浮栅结构的100层级成熟NAND；高层数高端NAND则集中于韩国清州厂。

经济信息联播: #闪迪 公布截至2026年7月3日的公司第四财季，营收同比增长372%至89.7亿美元，较市场预期高4.3%； 非GAAP口径下调整后每股收益（EPS）39.25美元、为一年前水平0.29美元的135倍，较分析师预期高逾10%。 调整后毛利率为84.6%， 2026财年，闪迪实现营收202.5亿美元，较上年增长175%。 下一个财季营收指引中值同比增359%、仍较分析师预期低5.5%， EPS指引中值略低于预期，毛利率指引大致持平前季。股价盘后一度跌8%。 闪迪董事会批准新的140亿美元股票回购计划… 电话会披露，通过在推进的新商业模式（NBM）协议，八大客户锁定未来多年供应，协议覆盖2027财年超过50%的供应，覆盖2028财年约三分之二供应；NBM协议预计最低收入939亿美元，客户违约保障165亿美元；#LTA 高带宽闪存（HBF）进入与客户深度讨论阶段；预计2026年全球NAND市场规模超3000亿美元、数据中心占一半，2027年规模接近5000亿美元。

#三星 电子在FMS年度存储行业峰会上，正式宣布了zHBM和zNAND-O两款概念产品，以及业界首款采用晶圆键合技术、堆叠层数超过400层的V10 BV-NAND。其中，zHBM将高带宽内存直接垂直堆叠于AI加速器芯片之上，性能预计约为下一代HBM5的8倍。前一日，#SK海力士 携手 #闪迪 在大会上，联合发布高带宽闪存（HBF）全球首个标准规范。HBF技术定位于高带宽内存（#HBM）与固态硬盘（SSD）之间的新型存储层级，旨在同时解决AI推理场景下的带宽瓶颈与容量扩展难题。