#SK海力士 发布MARS与HBF两大技术：MARS可将推理首次标记时间提升3至5倍， #HBF 容量达 #HBM 的14倍。

经济信息联播: #闪迪 公布截至2026年7月3日的公司第四财季，营收同比增长372%至89.7亿美元，较市场预期高4.3%； 非GAAP口径下调整后每股收益（EPS）39.25美元、为一年前水平0.29美元的135倍，较分析师预期高逾10%。 调整后毛利率为84.6%， 2026财年，闪迪实现营收202.5亿美元，较上年增长175%。 下一个财季营收指引中值同比增359%、仍较分析师预期低5.5%， EPS指引中值略低于预期，毛利率指引大致持平前季。股价盘后一度跌8%。 闪迪董事会批准新的140亿美元股票回购计划… 电话会披露，通过在推进的新商业模式（NBM）协议，八大客户锁定未来多年供应，协议覆盖2027财年超过50%的供应，覆盖2028财年约三分之二供应；NBM协议预计最低收入939亿美元，客户违约保障165亿美元；#LTA 高带宽闪存（HBF）进入与客户深度讨论阶段；预计2026年全球NAND市场规模超3000亿美元、数据中心占一半，2027年规模接近5000亿美元。

#三星 电子在FMS年度存储行业峰会上，正式宣布了zHBM和zNAND-O两款概念产品，以及业界首款采用晶圆键合技术、堆叠层数超过400层的V10 BV-NAND。其中，zHBM将高带宽内存直接垂直堆叠于AI加速器芯片之上，性能预计约为下一代HBM5的8倍。前一日，#SK海力士 携手 #闪迪 在大会上，联合发布高带宽闪存（HBF）全球首个标准规范。HBF技术定位于高带宽内存（#HBM）与固态硬盘（SSD）之间的新型存储层级，旨在同时解决AI推理场景下的带宽瓶颈与容量扩展难题。

根据Counterpoint Research的追踪数据显示，64GB DIMM内存的价格在2025年第三季度到2026年第一季度之间已上涨3.5倍，且涨势尚未见顶——预计到2026年第三季度，累计涨幅将达到5倍。TrendForce的数据更加直观：2026年第一季度DRAM合约价季增幅度高达93%至98%，带动全球DRAM产业整体营收环比增长81%，达到970亿美元。进入第二季度，涨势仍未停歇，合约价预计再涨58%至63%。现货市场的信号更为直观：当前服务器级DDR5 RDIMM的现货单价区间达每GB 27至37美元，仅搭建一个12TB的内存池，纯DRAM硬件采购成本就接近50万美元。先进DRAM制程高度依赖EUV光刻机，单台设备售价高达约2亿美元，一座现代化晶圆厂的投资动辄数百亿美元，即便一切顺利，建设周期也长达数年。产能扩张的速度，远远追不上AI需求增长的脚步。2023年，DRAM约占服务器整机成本的50%；到2026年年中，这一比例已攀升至60%至90%，平均约75%。面对DRAM的昂贵与稀缺，行业玩家开始另辟蹊径——不再单纯堆硬件，而是用技术手段减少对DRAM的依赖。AMD以AI调度冷数据至闪存，Apple将模型常驻NAND，Marvell以硬件压缩扩容，闪迪推HBF新架构。纯 #DRAM 堆砌时代结束，AI推理转向多层内存架构，以分层策略平衡性能与成本。#内存涨价

闪迪已签署5份长期供应协议，预计覆盖27财年超三分之一的NAND出货量，CEO表示该比例有望突破50%。与此同时，闪迪HBF原型产线年内启动，完整系统方案预计2027年上半年落地。#闪迪 股价自年初已涨411%。

“HBM之父” Kim Joungho最新预测显示，HBF技术有望在未来2-3年内即集成至英伟达、AMD等GPU产品中。凭借NAND堆叠带来的十倍级容量优势，#HBF 将填补HBM在AI推理场景的存储缺口。市场预计其将在 #HBM 6阶段实现规模化应用，到2038年市场规模甚至可能反超HBM，成为下一代高带宽存储的关键力量。