高盛和摩根士丹利分析师预计，2027年全球AI资本支出将达到1.3万亿至1.5万亿美元，其中超过一半将用于内存建设。若这一趋势延续，HBM、DRAM等存储产品有望持续受益于AI算力扩张。模型能力越强，背后的算力需求越高，对存储的需求也越旺。 Astra的发布，正在重新点燃这一交易逻辑。#内存涨价 #AI泡沫

三星电子在SEMICON Taiwan 2026上披露了新一代高带宽存储器（HBM）及下一代存储架构的详细技术路线图，涵盖HBM5、zHBM及zNAND-O等多项前沿技术，显示出这家韩国存储巨头在AI基础设施存储市场的长期布局意图。HBM5性能为HBM4E的2倍，HBM5基础芯片制程升至2纳米，预计2028年量产，在堆叠层数方面，三星正为HBM5准备12层、16层及20层三种DRAM堆叠方案，以满足不同应用场景的容量与性能需求。#三星 将zHBM定位为有别于传统HBM的全新架构。传统HBM将存储器置于AI加速器（xPU）旁侧，而zHBM则将存储直接堆叠于处理器顶部，通过大幅缩短数据传输路径来实现更高带宽与更优功耗表现。全新架构zHBM目标性能为HBM4E的8倍，预计2029年后推出。#HBM

TrendForce称2027年存储将占主要云厂资本开支的68%，服务器DRAM价格2026年预计累计涨幅约270%。#内存涨价

高盛大幅上调未来三年全球晶圆厂设备（WFE）支出预测，将2026至2028年市场规模预期分别提升至1500亿、2180亿及2810亿美元，上调幅度显著超出此前预期，折射出半导体资本开支周期正加速向上突破。四大板块代工：台积电扩产带动先进制程设备需求跃升DRAM：HBM4迁移与产能扩张推动支出持续攀升NAND：近期以升级改造为主，供给偏紧延续至2027年逻辑及其他：英特尔复苏与Terafab项目带来超预期增量维持对半导体设备板块的整体看多立场，此次预测上调对设备板块投资者具有直接指引意义，更高的资本开支预期意味着设备厂商订单能见度持续改善，行业景气周期有望延续至2028年。

根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2027年存储器需求仍由AI应用主导，DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲，CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加，市场维持供给紧张格局，价格走势偏强。NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下，2027年下半年供给将趋向宽松，价格可能面临修正压力。#内存涨价

#韩股 指数 KOSPI自6月高点重挫近35%，SK海力士、三星电子跌破关键支撑，3倍做多韩国ETF暴跌超七成。作为AI交易最拥挤的市场之一，韩国率先遭资金抛售，今年已触发8次熔断，其跌幅已领先 #SOX 费城半导体指数。当前技术面尚未出清，杠杆资金放大跌势。市场担忧，这或是全球AI资产从高估值重新定价的开端，需警惕调整向其他市场扩散。全球芯片股遭遇"黑色星期二"——AI资本支出回报存疑、英伟达逾7500亿美元"循环融资"疑云笼罩信贷市场，叠加中国DRAM龙头长鑫科技上市重燃竞争担忧，三重压力共振引爆从华尔街蔓延至亚太的恐慌抛售。韩国金融监管当局拟进一步收紧个股 #杠杆ETF 产品管控。若7月底升至3000万韩元的预托金新规未能有效降温，当局将考虑把个人个股杠杆投资额限制在总金融投资额的20%以内，并增加模拟交易等门槛，同时要求机构分散再平衡时点并规范LP交易，以平抑市场波动。#金丝雀

标普500涨幅0.21%，报7428.78点。道指涨幅1.03%，报52747.32点。纳指跌幅0.22%，报24876.912点。医疗保健ETF和金融ETF双双创历史新高，保险股领涨。软件SaaS股逆势强劲反弹。费城半导体指数跌4.5%、连续第二日下挫，DRAM存储ETF暴跌8.89%。#美股

存储模组厂 #宇瞻科技 指出，全球三大DRAM原厂新增产能几乎全面投入HBM、伺服器DDR5及LPDDR5X等AI产品，分配给一般DDR5、DDR4及工控市场的颗粒持续减少。供需失衡或至少持续至2027年上半年。#内存涨价

长鑫科技IPO前夕，高盛紧急召开中国存储专家电话会。前三星18年总监、长鑫前高管揭秘：一季度长鑫DRAM全球份额达8%、收入同比暴涨719%；2030年产能有望翻倍；HBM3量产锁定2026年。高盛认为，中国DRAM扩张不可逆，北方华创、中微等国产设备商将受益。#内存涨价

摩根士丹利研报指出，#苹果 正将提价策略从Mac、iPad等非iPhone产品扩展至核心硬件。分析显示，iPhone需求弹性最低（0.2-0.4），涨价对销量冲击有限。为应对存储器成本大涨（DRAM/NAND预计涨约190%/180%），iPhone 18 Pro系列起售价或上调200美元。