一手签存储长协、一手做空存储股票？CoreWeave正探索用看跌期权等金融衍生品对冲存储芯片价格下跌风险。公司已与美光、闪迪签订含价格下限条款的长期供应协议，一旦市价下跌，将面临高价采购的成本敞口。SK海力士和美光预计2028年初新产能全面投产，届时价格存在下行压力。不过，相关讨论仍处早期阶段，尚未执行任何对冲操作。#CRWV

根据Counterpoint Research的追踪数据显示，64GB DIMM内存的价格在2025年第三季度到2026年第一季度之间已上涨3.5倍，且涨势尚未见顶——预计到2026年第三季度，累计涨幅将达到5倍。TrendForce的数据更加直观：2026年第一季度DRAM合约价季增幅度高达93%至98%，带动全球DRAM产业整体营收环比增长81%，达到970亿美元。进入第二季度，涨势仍未停歇，合约价预计再涨58%至63%。现货市场的信号更为直观：当前服务器级DDR5 RDIMM的现货单价区间达每GB 27至37美元，仅搭建一个12TB的内存池，纯DRAM硬件采购成本就接近50万美元。先进DRAM制程高度依赖EUV光刻机，单台设备售价高达约2亿美元，一座现代化晶圆厂的投资动辄数百亿美元，即便一切顺利，建设周期也长达数年。产能扩张的速度，远远追不上AI需求增长的脚步。2023年，DRAM约占服务器整机成本的50%；到2026年年中，这一比例已攀升至60%至90%，平均约75%。面对DRAM的昂贵与稀缺，行业玩家开始另辟蹊径——不再单纯堆硬件，而是用技术手段减少对DRAM的依赖。AMD以AI调度冷数据至闪存，Apple将模型常驻NAND，Marvell以硬件压缩扩容，闪迪推HBF新架构。纯 #DRAM 堆砌时代结束，AI推理转向多层内存架构，以分层策略平衡性能与成本。#内存涨价

#Anthropic 已启动自研AI芯片项目，并与 #三星 电子洽谈采用其2纳米工艺及先进封装技术的潜在制造合作。该项目尚处早期规划阶段，旨在优化算力成本并降低供应链依赖。费城半导体指数收跌5.44%，闪迪收跌14%、美光收跌5.5%、英特尔收跌5.3%、英伟达收跌1.4%。半导体下跌带动纳斯达克100由涨转跌、盘中跌超2%

伯恩斯坦将 #闪迪 目标价从1700美元上调至3000美元，认为新一代长期供货协议（#LTA）正重塑存储行业商业模式。新LTA采用固定或区间定价、引入金融担保、期限延至3-5年，形成双向约束，显著降低盈利波动。

铠侠市值短暂突破50万亿日元、登顶日本第一，但其未来三年年均资本开支约4700亿日元，仍比2023财年历史峰值低约10%。NAND合约价格2026年Q2预计环比涨幅达70%至75%，供应短缺或延续至2027年底。闪迪最近推出的PS5官方授权8TB固态硬盘售价高达3699.99美元，折后仍接近3000美元，足以购买三台PS5 Pro主机。相比去年同容量产品约640美元的市场价格，涨幅超过360%，凸显内存供应紧张背景下存储市场的价格失衡与短缺溢价。目前，#希捷 科技和 #西部数据 近线硬盘的平均价格约为每TB 14.30-14.90美元(TB) 。摩根士丹利的研究预测，硬盘驱动器 (#HDD ) 将出现“更加严重的短缺”，这种情况至少会持续到 2028 年，供应商的定价将远高于目前的水平。新进入者的威胁有多大？硬盘驱动器行业目前是一个高度集中的寡头垄断市场。外界最常问的问题是，是否有新参与者能够进入并打破这种市场格局。西部数据首席执行官 Irving Tan 给出了直接的答案。他解释说，成为具有竞争力的新进入者的障碍不在于资金是否充足，而在于以下三个关键领域：-技术认证周期极其漫长。仅热辅助磁记录（HAMR）技术的认证就耗时超过10年。这-需要跨学科的垂直整合能力。仅仅靠花钱是无法实现磁学、材料科学、光子学和纳米制造等领域的内部整合。-供应链高度集中，几乎没有闲置产能。硬盘供应链高度整合，目前产能利用率很高，这使得新进入者难以获得可以利用的外部资源。#存储 #内存涨价 #报告

AI推理对昂贵DRAM的依赖正在松动。AMD宣布收购内存优化公司MEXT，将AI驱动的闪存优化技术引入数据中心。这标志着AI存储架构正在经历一场结构性迁移，而核心驱动力只有一个数字：闪存成本仅为DRAM的1/55。MEXT开发的AI驱动预测内存技术，旨在让闪存的行为更接近DRAM，在维持性能与效率的同时扩展可用内存容量。AMD表示，此次收购将扩充其AI产品组合，帮助数据中心客户提升性能、降低总拥有成本并加速工作负载部署。值得注意的是，苹果早在2024年就开始推进"LLM in a Flash"端侧方案。这一布局背后，是愈演愈烈的DRAM供给危机。Citrini Research指出，AI存储需求已大到需要多层架构共同承接，闪存并非取代HBM，而是在容量维度承接溢出需求——这场架构重构正在重新定价整条AI存储产业链。HBM对DRAM产能的持续蚕食是这场危机的核心驱动。#HBM 在大厂产能中的占比已从2020年的2%攀升至2026年预估的25%。新增DRAM产能的建设同样面临结构性制约。扩产依赖EUV光刻机印制更精细线宽，每台EUV设备售价高达约2亿美元，一座新晶圆厂的投资动辄数百亿美元，建设周期在顺利情况下也需数年。这一供给刚性，正是本轮短缺具备持续性的根本原因。但闪存的扩容路径也与DRAM存在本质区别。闪存通过垂直堆叠更多单元层来增加容量，依赖现有工厂已有的沉积和刻蚀工艺，无需新的光刻节点，不占用EUV资源。闪存控制器基于成熟的6/7纳米制程生产，远离正在制约先进制程的瓶颈节点。据Citrini Research梳理，最直接的受益层是NAND原厂，高容量NAND、企业级SSD及QLC NAND为最纯粹的方向，包括SanDisk、西部数据、美光及铠侠。#内存涨价 #报告 #NAND #闪迪 #西数 #美光 #铠侠

大摩认为，英伟达削减Vera Rubin机架内存配置并非AI需求降温，而是DRAM供应短缺加剧的体现。4月行业数据显示DRAM、NAND销售与价格增长创历史高位，内存仍是AI基础设施最大瓶颈。基于供需持续紧张，大摩大幅上调半导体行业收入预测，继续看好美光、闪迪及英伟达等AI与存储产业链龙头。美光CEO认为，存储是AI被低估的底层瓶颈，AI正从“算力竞赛”延伸为“存储竞赛”。供给端的结构性约束决定了存储短缺将是长期状态。晶圆厂建设周期长，技术节点推进导致单位产出增幅下降，供应紧张至少延续至2026年以后。 #内存涨价

闪迪已签署5份长期供应协议，预计覆盖27财年超三分之一的NAND出货量，CEO表示该比例有望突破50%。与此同时，闪迪HBF原型产线年内启动，完整系统方案预计2027年上半年落地。#闪迪 股价自年初已涨411%。

#闪迪 第三财季营收59.5亿美元，同比增长251%，远超预期；调整后EPS达23.41美元，数据中心业务同比暴增645%。#西部数据 第三财季营收33.37亿美元，同比增长45%；GAAP净利润31.72亿美元，同比增长320%；非GAAP经营利润为12.87亿美元，同比增长116%。#AIDC #内存涨价

#SK海力士 正以超预期节奏冲刺美股上市，目标时间窗口锁定今年6至7月，拟募资约100亿美元。驱动这场百亿融资的，是高达600万亿韩元的长期资本蓝图，更是一场估值保卫战：公司预期市盈率仅3至4倍，不及美光的一半、闪迪的零头。一旦 #ADR 敲钟，全球资金将首次直通全球最大 #HBM 供应商。