SK海力士已完成375层3D
#NAND 闪存的生产验证工作，目前正推进产线落地。按照SK海力士的技术路线，未来还将持续迭代，依次推出480层、604层产品。
此次技术迭代的核心突破在于使用钼（Mo）材料替代传统钨（W）材料制作字线（Word Line），旨在解决高层数堆叠带来的电阻上升和空间占用问题，从而提升NAND的性能与存储密度。
随着3D NAND堆叠层数愈多，传统钨材质短板凸显。相较而言，在同等微缩尺寸下，钼的电阻更低，能够有效加快数据读写速度。且钼无需额外增设阻挡层，可直接完成填充，进一步提升芯片存储密度。我国科研团队已用二硫化钼这种二维材料打造芯片，让数据在存储地直接完成搜索，36皮秒完成闪电匹配，能耗仅为传统芯片的万分之一。从行业层面来看，三星电子已率先落地钼材料工艺。
行业测算数据显示，三星去年钼材料采购量约4吨，今年预计增至10吨，后续需求还将逐年走高，预计2030年将达到80吨。SK海力士从明年开始大规模导入钼工艺，初期年采购量也将达到4吨左右。#钼
SK海力士已完成375层3D #NAND 闪存的生产验证工作，目前正推进产线落地。按照SK海力士的技术路线，未来还将持续迭代，依次推出480层、604层产品。此次技术迭代的核心突破在于使用钼（Mo）材料替代传统钨（W）材料制作字线（Word Line），旨在解决高层数堆叠带来的电阻上升和空间占用问题，从而提升NAND的性能与存储密度。随着3D NAND堆叠层数愈多，传统钨材质短板凸显。相较而言，在同等微缩尺寸下，钼的电阻更低，能够有效加快数据读写速度。且钼无需额外增设阻挡层，可直接完成填充，进一步提升芯片存储密度。我国科研团队已用二硫化钼这种二维材料打造芯片，让数据在存储地直接完成搜索，36皮秒完成闪电匹配，能耗仅为传统芯片的万分之一。从行业层面来看，三星电子已率先落地钼材料工艺。行业测算数据显示，三星去年钼材料采购量约4吨，今年预计增至10吨，后续需求还将逐年走高，预计2030年将达到80吨。SK海力士从明年开始大规模导入钼工艺，初期年采购量也将达到4吨左右。#钼
